半导体巨头 Intel 在“先进工艺”上的“新动作”有哪些？

FinFETs与 FD－SOI之争

英特尔的22FFL相比于平面28nm具有成本和功耗优势

英特尔将在今年年底前启动22FFL节点，明确针对来自Globalfoundries等公司利用FD－SOI技术制造的用于移动设备和物联网的同类芯片。0．5 PDK已经准备就绪，并将出现在6月份的1．0版本中。

相比于同行的28nm，它的工艺包括漏电流小100倍的高性能晶体管和低功耗晶体管。它的目的是通过简化设计规则和用于14nm FinFET的内部连接参与28nm的成本竞争。

Intel的首席财务官Smith最近表示：“我们认为这是业界最简单易用的FinFET工艺，服务大众的FinFET。”

具体而言，该22FFL工艺支持：

● 45nm 鳍片间距，

● 108nm 栅极间距

● 90nm 采用单一图案成形技术的金属间距

● 630nm逻辑单元高度

● 1880 万晶体管／mm2

● 0．88mm2 SRAM位单元

英特尔的第一代FinFET 22nm节点的栅极间距和金属间距明显松散，分别为90nm和80nm。

Bohr展示了22FFL的漏电流数据，他提出的包括亚阈值、栅氧化层和结漏电流。他表示：“所有三个问题都表明节点对于任何主流技术都拥有最小的漏电流。”

英特尔拒绝提供22FL和22nm FD－SOI之间的具体比较。然而，它的内部产品有的已经被设计为22FL，并希望吸引代工客户。

英特尔客户和物联网业务和系统架构集团总裁Murthy Renduchintala说：“我们今后的路线图在物联网和网络等领域将会更加广阔，这使我们能够获得差异化的业绩。”

Globalfoundries的产品管理高级副总裁Alain Mutricy回应了Intel的22FFL的消息。Mutricy说：“我们的生产过程完全符合生产要求，我们看到客户需求旺盛，50多个客户积极参与到诸如移动设备、物联网和汽车等高增长领域。”

在一篇博客中，Mutricy指出，台积电和英特尔已经宣布了22nm工艺，这发生在Globalfoundries宣布其FD－SOI计划的两年后。他写道：“这项工作展示了前所未有的创新，它发生在高级节点上，相比于最前沿技术又迈进了一到两步。”

他补充说：“德国德累斯顿的Fab 1工厂完全符合Globalfoundries的22nm工艺生产要求。公司计划到2020年将德累斯顿22nm晶圆厂的产能提高40％。”

此外，Globalfoundries于二月份宣布，将于2019年在中国开始合资制造22nm FD－SOI产品，并于去年在德累斯顿进行了后续的12nm FD－SOI工艺计划。“我们期望其他公司追随我们的12FDX领先技术。”他写道。

台积电发言人说：“台积电的22ULP节点将推动更好的RF元件，它在低功耗物联网市场非常具有竞争力。”

14nm的更多详细信息，代工厂

最后，英特尔提供了关于其当前14nm工艺（即现在的第三个变种14＋＋）的更多细节。英特尔已经在14nm节点生产了三代x86处理器，以及Stratix 10 FPGA。 到今年年底，也将利用14nm节点生产LTE调制解调器。

具体而言，英特尔的14nm节点使用：

● 42nm 鳍片间距

● 52nm 内部连接间距

● 70nm 栅极间距

● 399nm 单元高度

● 3750万晶体管mm2

● 0．050mm2 SRAM单元

英特尔公司互联技术和集成总监Ruth Brain表示，英特尔采用自对准双重图案成形技术，这可以使成本低于使用光刻蚀技术的其他芯片制造商。

英特尔并没有公布任何新客户的新生代工服务。不过，英特尔在代工厂主管领导的活动上，在IP和EDA专家小组中间获得了好评。

Synopsys首席执行官Aart De Geus表示，英特尔的定制代工厂拥有多个回头客户，如果你不能成功交付产品，就永远不会得到它。

“代工厂现在准备好了迎接黄金时间”，ARM公司销售和联盟高级副总裁Will Abbey说，该公司与英特尔的代工厂合作了大约10个月。