客服热线：
手机版
二维码
英特尔对于其10nm节点透露了比以往更多的细节。x86巨头需要通过对比竞争对手台积电和三星正在进行的10nm工艺，更进一步地展示其优势，
具体而言，英特尔的10nm节点包括：
● 34nm鳍片间距
● 53nm 鳍片高度
● 36nm 最小金属间距
● 272nm 单元高度
● 54nm 栅极间距
英特尔声称，节点展现了行业中最紧密的栅极间距和金属间距，标志着行业首次使用自对准四重图案成形技术（self－align quad patterning）。相比于14nm节点时，FinFET（鳍式场效应晶体管）的高度和密度提高了25％。
英特尔描述了晶体管的两个创新，以补偿更多光刻图案步骤带来的成本上涨。有源栅极上接触（contact－over－active－gate，COAG）有助于提供额外10％的密度；10nm时，单个而不是双虚拟栅极提供了额外的缩放优势。
英特尔声称其10nm工艺的节点密度是其竞争对手的两倍。（图片来源：英特尔）
对10nm不吝赞美，对度量方法褒贬不一
分析师对英特尔的10nm节点印象深刻，但对于晶体管密度是否是衡量竞争节点的最佳指标褒贬不一。他们表示，在28和16nm竞争日益激烈的情况下，现在还不清楚谁会赢得这一重大前沿业务。
市场观察家VLSI研究公司总裁G． Dan Hutcheson表示：“现在是时候摆脱这些利用节点名称搞的市场营销手段了，让大家看看节点的真面目……摩尔定律总是关于密度。”
他表示，进行芯片级别拆解的独立分析师能够使用公式来检验芯片密度。但是较大的尺寸（例如cm2）将使得对照更接近真实SoC的大小。
Gartner半导体集团研究副总裁Bob Johnson说：“我们需要客观地比较节点名称的扩展，显示出与它们的名称无关的维度。”
台积电的一位发言人说，先前基于栅极密度的度量方法比现在基于单元高度要好得多。
她表示：“我不知道英特尔如何进行新的计算。它的Broadwell（第一代14nm CPU）每平方毫米有1840万个晶体管，但在新的度量方法下，每平方毫米突然有了3750万个晶体管。他们在玩文字游戏吗？”
台积电发言人还注意到，密度本身并不能直接转化为芯片尺寸。她说，布局和其他设计规则都是影响芯片尺寸和竞争力的重要因素。
分析师Hutcheson表示：“看到英特尔10nm工艺中的数字，我震惊了。”
Linley集团的David Kanter同意这种观点，他表示：“这是令人印象深刻的密度……但英特尔提出的观点不到生产就无法证实。然而，英特尔的制造工艺会继续领先，问题是转化到产品中的是什么。”
Kanter 称赞英特尔的COAG晶体管进步。然而，直到公司发布如何制造COAG器件，才能清楚能否将该设计作为一种优化接触电阻的新方法，进而区分其工艺。
对于新的22FFL，Hutcheson指出，Globalfoundries 和英特尔的代工团队都面临着来自竞争对手在IP（知识产权）方面的挑战，例如台积电在28nm的IP。
英特尔对于其10nm工艺透露了不同以往的大量细节
<上一页 1 2 3>
