DRAM的规格也经历多次不同的历史演进。早期DRAM存在各种规格，大致包含FP DRAM，EDODRAM，RDRAM，以及SDRAM。随着FPRAM，EDODRAM技术不断达到技术瓶颈，SDRAM作为新的存储技术出现了。SDRAM由早期的66MHZ（PC66）发展到133MHZ（PC133）之后，再次达到技术瓶颈，这时出现了两种DRAM技术，即DDRRAM和RDRAM，尽管RDRAM在架构上具备了发展潜力，但是在成本方面劣势使其在与DDR的竞争格局中逐步被边缘化。

　　表2：DDR存储器的发展历程

　　

　　DDR RAM是SDRAM的升级版本，从SDRAM的一个上升时钟脉冲传输一次数据改为一个时钟脉冲的上升沿和下降沿各传输一次数据，使得带宽翻倍，并且运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。

　　2、周期出现底部反弹趋势，移动终端需求驱动产业增长

　　根据DRAMeXchange的数据，DRAM市场与全球半导体行业整体市场一样处于下行的周期中，从过去12个季度的厂商销售收入数据显示，从2015年第一季度开始，收入规模呈现了负增长的态势，造成这种情况的最重要原因是以三星、SK海力士和美光等为代表的各大厂家持续转进21nm/20nm制程研发而导致产出增加，供过于求进而导致销售单价下降。

　　

　　

　　我们可以看到的是，从2016年第二季度的末期开始，DRAM产品的现货价格和合约价格均呈现了快速的反弹迹象，尤其是在进入了传统的半导体销售旺季的第三季度，前期持续下跌的价格导致市场观望情绪浓厚，带来的整体市场低库存，加之三星在西安的生产线受到电力供应故障的影响，市场的补库存情绪持续高涨带来了价格的快速回升。

　　

　　

　　从产品的下游应用市场看，PC及服务器采用的标准型DRAM产品仍然占据了显著的市场需求，移动终端采用的利基型DRAM产品伴随着移动手机等产品的迅速崛起也成为了影响市场需求的重要分支。

　　

　　

　　3、寡头垄断，市场竞争格局趋于稳定

　　DRAM芯片产品具备了高度同质化特性，规模效应带来的竞争优势有被持续放大的趋势，因此经过了行业多次的整合发展，目前市场呈现了寡头垄断的格局。根据DRAMeXchange的数据显示，三星、海力士、美光占据市场前三位，2016年上半年占比分别为47%、27%和19%。

　　

　　

　　从产业模式看，三星、海力士、美光都是从设计到生产完整产业链的IDM模式，台湾厂商南茂、华邦电、力晶等作为纯代工企业而言，市场的影响力有限。

　　从WSTS公布的DRAM市场供给增长数据显示，目前DRAM行业的供给增长速度有所放缓，各大厂商的资本开支计划显示对于产能扩张的态度较为谨慎，没有大规模产能扩张或者收缩的计划公布，全球供给端市场的产能增长主要来自于半导体工艺制程的演进而带来在单片晶元上的集成度提升。

　　

   （二）固态硬盘驱动未来Flash需求，路线不同带来多元竞争

　　Flash Memory属于非易失性存储器，产品出现的时间晚于DRAM，需求驱动主要来自于随着CPU和内存速度持续提升后，磁盘和光盘的读写速度和集成度远远没有办法满足需求，因此人们开发以半导体集成电路工艺来制造可以长期保存数据的存储产品。

　　1、起步晚于DRAM，NAND和NOR两种构建延续至今

　　

　　1967年施敏博士与韩裔美国人姜大元在《贝尔系统科技期刊》发表了一篇关于非挥发性内存的论文“浮闸非挥发性半导体内存细胞元件”第一次阐述了闪存存储数据的原理技术。舛冈富士雄博士在1984年于东芝公司工作时发明了Flash存储技术，1998年，Intel推出第一款商业性的NORFlash芯片，1989年的国际固态电路研讨会（ISSCC）上，东芝发表NANDFlash的芯片结构，NOR和NAND规格的Flashmemory一直沿用至今。

　　FlashMemory的规格相较于DRAM简单，主要为NOR和NAND型两种，主要区别在于记忆单元间的内部连接结构。NOR内部记忆单元以平行方式连接到比特线，允许个别读取与程序化记忆单元。NAND内部记忆单元以顺序方式连接，只能允许页访问。由于NAND的顺序连接方式，降低了所需的空间，进而降低了产品的成本。

　　

　　Flash Memory的两种结构多年以来一直延续，直到2015年美光和Intel提出了3DXPoint。而东芝推出的3DNAND则是在2DNAND的架构上在三维空间的堆叠。