三星K4A8G165WB-BCRC K4A4G165WF_存储器_集成电路IC_电子信息网_产品供应

品牌SAMSUNG/三星	有效期至长期有效	最后更新2024-12-20 09:50
Product CodeK4A8G165WB-BCRC	Density8Gb	Product NameDDR4

三星K4A8G165WB-BCRC K4A4G165WF

K4A8G165WB-BCRC

Information

• JEDEC standard 1.2V (1.14V~1.26V)

• VDDQ = 1.2V (1.14V~1.26V)

• VPP = 2.5V (2.375V~2.75V)

• 800 MHz fCK for 1600Mb/sec/pin, 933 MHz fCK for 1866Mb/sec/pin,

1067MHz fCK for 2133Mb/sec/pin, 1200MHz fCK for 2400Mb/sec/pin,

1333MHz fCK for 2666Mb/sec/pin

• 8 Banks (2 Bank Groups)

• Programmable CAS Latency(posted CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20

• Programmable CAS Write Latency (CWL) = 9,11 (DDR4-1600) , 10,12

(DDR4-1866) ,11,14 (DDR4-2133) ,12,16 (DDR4-2400) and 14,18 (DDR4-

2666)

• 8-bit pre-fetch

• Burst Length: 8, 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or

write [either On the fly using A12 or MRS]

• Bi-directional Differential Data-Strobe

• Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin

(RZQ : 240 ohm ± 1%)

• On Die Termination using ODT pin

• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85C, 3.9us at 85C <

TCASE < 95 C

• Support Industrial Temp ( -4095C )

- tREFI 7.8us at -40 °C ≤ TCASE ≤ 85°C

- tREFI 3.9us at 85 °C < TCASE ≤ 95°C

• Asynchronous Reset

• Package : 96 balls FBGA - x16

• All of Lead-Free products are compliant for RoHS

• All of products are Halogen-free

• CRC(Cyclic Redundancy Check) for Read/Write data security

• Command address parity check

• DBI(Data Bus Inversion)

• Gear down mode

• POD (Pseudo Open Drain) interface for data input/output

• Internal VREF for data inputs

• External VPP for DRAM Activating Power

• PPR and sPPR is supported

K4A4G165WF-BIWE
Information

4Gb/256M*16/3200MBbps/12V/ -40~95度/96 FBGA/

公司名	深圳市鑫融宸电子有限公司	经营模式
注册资本	200万人民币	公司注册时间	2012
公司所在地	广东	企业类型	企业单位 ()
保证金	已缴纳 0.00 元	资料认证
主营行业	电子信息 / 电子设备 ,
主营产品或服务	DDR FLASH EMMC TF内存卡

公司名

深圳市鑫融宸电子有限公司

经营模式

注册资本

200万人民币

公司注册时间

2012

公司所在地

广东

企业类型

企业单位 ()

保证金