存储元器件涨价超50%，日韩供应商的阴谋？

在固态硬盘技术处于2D NAND时代,服务器级市场几乎很少使用固态硬盘作为存储介质,但随着3D NAND Flash从无到有、从32层向64层堆叠,越来越多的服务器级市场开始进行产品的更新换代。而此前,Intel官方还在公开场合宣布,随着3D Xpoint的成熟,Intel将在2017年优先生产高速增长的数据中心应用的固态硬盘,而不是低成本的消费级固态硬盘。

三是新的应用需求出现,包括物联网、云计算、智能家庭和智能建筑,以及自驾车、无人机和机器人等新应用的流行,NOR Flash(非易失闪存技术)作为储存驱动程序码的储存装置被大量应用。但在扩产有限,需求不减反增的情况下,价格势必持续上扬。

日韩供应商‘默契’涨价?

虽然市场方面认为内存大幅上涨的原因无非就是供需失衡,但也有部分业内人士对记者表示,此轮涨价背后并非完全由市场供需决定,也不排除部分NAND Flash供应商有意为之的可能——“很难说这是不是部分日韩供应商‘默契’的涨价行为。”

自去年下半年三星发生了Galaxy Note 7“爆炸门”事件以及实际掌门人受到腐败指控后,唱衰三星的声音不绝于耳。在外界看来,这些事件将导致三星的利润出现大幅下滑,但结果却出人意料。

4月27日,三星公布了2017第一季度的财报,公司取得50.55万亿韩元收入,同比增长1.5%;营业利润9.90万亿韩元,同比增长48.2%;而净利润为7.68万亿韩元,同比大涨46.3%。

事实上,三星今年首季度利润大增得益于三星半导体业务的贡献,其半导体部门营业利润为6.31万亿韩元,同比大增139.9%;设备解决方案部门营业利润为7.59万亿韩元,同比暴涨225.8%,但IT和移动通信部门的营业利润仅为1.07万亿韩元,锐减46.8%。

一些分析师认为,2017年的内存供应将会持续紧张,随着NAND、DRAM的继续涨价,三星的利润还将被推高。来自韩国IBK的分析师 Lee Seung-woo曾表示,三星今年第二季度的运营利润可达12.1万亿韩元,折合110亿美元。

可以说,半导体业务将为三星今年的业绩立下“汗马功劳”,正因如此,三星也在积极巩固其在NAND Flash市场的竞争优势。三星电子于6月15日宣布已经开始大量生产64层256Gb V- NAND,被称为第四代VNAND。三星目前V-NAND占整体NAND Flash产能的70%以上,随着64层V-NAND(3D垂直闪存)进入量产,V-NAND产能比重将更高,并不断扩大在服务器、PC和移动设备等领域的应用。

针对外界认为部分日韩供应商“默契”涨价的观点,记者联系了三星方面,不过截至发稿,尚未获得回应。

上述三星固态硬盘旗舰店的门店负责人表示,三星Fab 18工厂已经在6月份投入生产64层V-NAND,三星还计划基于64层V-NAND在第三季度推出UFS3.0新品,以及推出M.2和2.5英寸规格形态的SSD产品。与48层256Gb V-NAND相比,新的64层256Gb V-NAND将提高30%以上的生产效率。此外,64层V-NAND是2.5V输入电压,与使用48层VNAND的3.3V相比,能量效率提高了约30%。

产业观察家洪仕斌认为,闪存颗粒的核心优势并不掌握在中国企业手中,而国际大厂的垄断也会导致“坐地起价”。其中,三星必须在核心部件中找出盈利空间来弥补其在智能手机、彩电等领域的营收下滑。