功率:40-60mw
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中心波长** |
λc |
nm |
1680.3 |
1680.4 |
1680.5 |
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波长随温度变化漂移系数 |
Δ λ/T |
nm |
- |
0.1 |
- |
|
波长随电流变化漂移系数 |
Δ λ/I |
Nm |
- |
0.01 |
- |
|
背光电流 |
Im |
uA |
50 |
- |
2000 |
|
斜率效率 |
Se |
mW/mA |
0.05 |
0.1 |
- |
|
边模抑制比 |
SMSR |
Db |
35 |
45 |
- |
|
芯片工作温度 |
T |
℃ |
15 |
25 |
35 |
|
热敏电阻@25℃ |
R |
KΩ |
|
10 |
|